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Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium
In dieser Arbeit wurden GaP/Si-Heterostrukturen, die mittels MOVPE gewachsen wurden, mit Hilfe verschiedener TEM-Methoden untersucht. Die HAADF-Technik hat sich als geeignete Methode zur Untersuchung der Grenzfläche und Auftreten der APDs auf atomarer Skala erwiesen. Trotz der oft gelobten intuitive...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
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| Další autoři: | |
| Médium: | Dissertation |
| Jazyk: | German |
| Vydáno: |
Philipps-Universität Marburg
2012
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| Témata: | |
| On-line přístup: | Plný text ve formátu PDF |
| Tagy: |
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