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Über den Einfluss von isoelektronischen Störstellen auf Bandbiegung und Unordnung in Verbindungshalbleitern
Der Einfluss von isolektronischen Störstellen auf die Eigenschaften von Verbindungshalbleitern wird anhand zweier Beispiele diskutiert: Zum einen Stickstoff in Ga(As,P) Quantenschichtstrukturen, zum anderen Schwefel bzw. Selen in ZnTe Einkristallen. Die Eigenschaften werden hierbei auf zwei durch op...
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| Автор: | |
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| Інші автори: | |
| Формат: | Dissertation |
| Мова: | German |
| Опубліковано: |
Philipps-Universität Marburg
2011
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| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | PDF-повний текст |
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