Über den Einfluss von isoelektronischen Störstellen auf Bandbiegung und Unordnung in Verbindungshalbleitern
Der Einfluss von isolektronischen Störstellen auf die Eigenschaften von Verbindungshalbleitern wird anhand zweier Beispiele diskutiert: Zum einen Stickstoff in Ga(As,P) Quantenschichtstrukturen, zum anderen Schwefel bzw. Selen in ZnTe Einkristallen. Die Eigenschaften werden hierbei auf zwei durch op...
Sparad:
Huvudupphovsman: | |
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Övriga upphovsmän: | |
Materialtyp: | Dissertation |
Språk: | tyska |
Publicerad: |
Philipps-Universität Marburg
2011
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Ämnen: | |
Länkar: | PDF-fulltext |
Taggar: |
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