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Über den Einfluss von isoelektronischen Störstellen auf Bandbiegung und Unordnung in Verbindungshalbleitern
Der Einfluss von isolektronischen Störstellen auf die Eigenschaften von Verbindungshalbleitern wird anhand zweier Beispiele diskutiert: Zum einen Stickstoff in Ga(As,P) Quantenschichtstrukturen, zum anderen Schwefel bzw. Selen in ZnTe Einkristallen. Die Eigenschaften werden hierbei auf zwei durch op...
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| Autor principal: | |
|---|---|
| Outros Autores: | |
| Formato: | Dissertation |
| Idioma: | German |
| Publicado em: |
Philipps-Universität Marburg
2011
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| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | Texto Completo em Formato PDF |
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