Über den Einfluss von isoelektronischen Störstellen auf Bandbiegung und Unordnung in Verbindungshalbleitern

Der Einfluss von isolektronischen Störstellen auf die Eigenschaften von Verbindungshalbleitern wird anhand zweier Beispiele diskutiert: Zum einen Stickstoff in Ga(As,P) Quantenschichtstrukturen, zum anderen Schwefel bzw. Selen in ZnTe Einkristallen. Die Eigenschaften werden hierbei auf zwei durch op...

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Bewaard in:
Bibliografische gegevens
Hoofdauteur: Karcher, Christian
Andere auteurs: Heimbrodt, Wolfram (Prof. Dr.) (Thesis begeleider)
Formaat: Dissertation
Taal:German
Gepubliceerd in: Philipps-Universität Marburg 2011
Onderwerpen:
Online toegang:PDF Full text
Tags: Voeg label toe
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