Über den Einfluss von isoelektronischen Störstellen auf Bandbiegung und Unordnung in Verbindungshalbleitern
Der Einfluss von isolektronischen Störstellen auf die Eigenschaften von Verbindungshalbleitern wird anhand zweier Beispiele diskutiert: Zum einen Stickstoff in Ga(As,P) Quantenschichtstrukturen, zum anderen Schwefel bzw. Selen in ZnTe Einkristallen. Die Eigenschaften werden hierbei auf zwei durch op...
-д хадгалсан:
Үндсэн зохиолч: | |
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Бусад зохиолчид: | |
Формат: | Dissertation |
Хэл сонгох: | German |
Хэвлэсэн: |
Philipps-Universität Marburg
2011
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Нөхцлүүд: | |
Онлайн хандалт: | PDF-н бүрэн текст |
Шошгууд: |
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Шошго байхгүй, Энэхүү баримтыг шошголох эхний хүн болох!
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