Über den Einfluss von isoelektronischen Störstellen auf Bandbiegung und Unordnung in Verbindungshalbleitern
Der Einfluss von isolektronischen Störstellen auf die Eigenschaften von Verbindungshalbleitern wird anhand zweier Beispiele diskutiert: Zum einen Stickstoff in Ga(As,P) Quantenschichtstrukturen, zum anderen Schwefel bzw. Selen in ZnTe Einkristallen. Die Eigenschaften werden hierbei auf zwei durch op...
में बचाया:
मुख्य लेखक: | |
---|---|
अन्य लेखक: | |
स्वरूप: | Dissertation |
भाषा: | German |
प्रकाशित: |
Philipps-Universität Marburg
2011
|
विषय: | |
ऑनलाइन पहुंच: | पीडीएफ पूर्ण पाठ |
टैग: |
टैग जोड़ें
कोई टैग नहीं, इस रिकॉर्ड को टैग करने वाले पहले व्यक्ति बनें!
|