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Über den Einfluss von isoelektronischen Störstellen auf Bandbiegung und Unordnung in Verbindungshalbleitern
Der Einfluss von isolektronischen Störstellen auf die Eigenschaften von Verbindungshalbleitern wird anhand zweier Beispiele diskutiert: Zum einen Stickstoff in Ga(As,P) Quantenschichtstrukturen, zum anderen Schwefel bzw. Selen in ZnTe Einkristallen. Die Eigenschaften werden hierbei auf zwei durch op...
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| מחבר ראשי: | |
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| מחברים אחרים: | |
| פורמט: | Dissertation |
| שפה: | German |
| יצא לאור: |
Philipps-Universität Marburg
2011
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| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | PDF-Volltext |
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