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Über den Einfluss von isoelektronischen Störstellen auf Bandbiegung und Unordnung in Verbindungshalbleitern
Der Einfluss von isolektronischen Störstellen auf die Eigenschaften von Verbindungshalbleitern wird anhand zweier Beispiele diskutiert: Zum einen Stickstoff in Ga(As,P) Quantenschichtstrukturen, zum anderen Schwefel bzw. Selen in ZnTe Einkristallen. Die Eigenschaften werden hierbei auf zwei durch op...
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| Autor Principal: | |
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| Formato: | Dissertation |
| Idioma: | German |
| Publicado: |
Philipps-Universität Marburg
2011
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| Schlagworte: | |
| Acceso en liña: | Texto completo PDF |
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