Über den Einfluss von isoelektronischen Störstellen auf Bandbiegung und Unordnung in Verbindungshalbleitern
Der Einfluss von isolektronischen Störstellen auf die Eigenschaften von Verbindungshalbleitern wird anhand zweier Beispiele diskutiert: Zum einen Stickstoff in Ga(As,P) Quantenschichtstrukturen, zum anderen Schwefel bzw. Selen in ZnTe Einkristallen. Die Eigenschaften werden hierbei auf zwei durch op...
Wedi'i Gadw mewn:
Prif Awdur: | |
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Awduron Eraill: | |
Fformat: | Dissertation |
Iaith: | German |
Cyhoeddwyd: |
Philipps-Universität Marburg
2011
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Pynciau: | |
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