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Palladiumreiche Telluride
Die palladiumreichen Telluride Pd13Te3, Pd{20-X}Te7, Pd8Te3 und Pd5Te2 wurden im Rahmen dieser Arbeit hergestellt und strukturell charakterisiert. Hindernisse bei der Kristallzucht, die durch das thermische und kinetische Verhalten der Verbindungen bedingt sind, wurden durch Kristallzucht mittels c...
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| Tác giả chính: | |
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| Tác giả khác: | |
| Định dạng: | Dissertation |
| Ngôn ngữ: | German |
| Được phát hành: |
Philipps-Universität Marburg
2008
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| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | Bài toàn văn PDF |
| Các nhãn: |
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| Tóm tắt: | Die palladiumreichen Telluride Pd13Te3, Pd{20-X}Te7, Pd8Te3 und Pd5Te2 wurden im Rahmen dieser Arbeit hergestellt und strukturell charakterisiert. Hindernisse bei der Kristallzucht, die durch das thermische und kinetische Verhalten der Verbindungen bedingt sind, wurden durch Kristallzucht mittels chemischen Transports umgangen. Zusätzlich wurde durch Synthese von Pd4Br4Te3 erstmals über eine Festphasensynthese Zugang zu einem weiteren Platinmetallhalogenidchalkogenid geschaffen. Die Synthese der Palladiumtelluride erfolgte bei Temperaturen im Bereich von 730~K bis 1200~K unter Zusatz von Palladiumchlorid oder Palladiumbromid in evakuierten Quarzglasampullen.
Röntgen-Pulverdiffraktometrie wurde zur Phasenanalyse, in Kombination mit Thermoanalyse zur Ermittlung des thermischen Verhaltens einzelner Phasen und der Phasenbeziehungen herangezogen. Die strukturelle Charakterisierung erfolgte mittels Rönt-gen-Einkristallbeugungsmethoden. Die Strukturen wurden zu einfachen Strukturtypen in Beziehung gesetzt, wenn möglich mittels Gruppe-Untergruppe-Analyse. Temperaturabhängige Leitfähigkeitsmessungen und magnetische Messungen gestatteten die Ermittlung der Eigenschaften einzelner Verbindungen. XANES-Untersuchungen an Pd4Br4Te3 und Referenzsubstanzen gaben Aufschluß über die Valenzzustände der Komponenten in Pd4Br4Te3. Ergebnisse von extended-Hückel-Rechnungen lieferten Einblicke in Charakteristika der Elektronenstruktur der Verbindungen. |
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| Mô tả vật lý: | 139 Seiten |
| DOI: | 10.17192/z2009.0085 |