Elektronische Struktur und Kristallgittereigenschaften von metastabilen III-(N,V)-Halbleitersystemen

Elektronische Struktur und Kristallgittereigenschaften von metastabilen III-(N,V)-Halbleitersystemen

In III-V-Halbleitern stellt das Stickstoffatom aufgrund seiner geringen Größe und hohen Elektronegativität eine starke Störung der elektronischen Struktur und der Kristallgittereigenschaften dar. Die vorliegende Arbeit gibt für Ga-V-Halbleiter (V = P, As, Sb) einen Überblick über diese Einflüsse. An...

Ամբողջական նկարագրություն

Պահպանված է:
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակ: Güngerich, Martin
Այլ հեղինակներ: Heimbrodt, Wolfram (Prof. Dr.) (Ատենախոսության խորհրդական)
Ձևաչափ: Dissertation
Լեզու:German
Հրապարակվել է: Philipps-Universität Marburg 2007
Խորագրեր:
Dilute nitride
Isoelektronische Störstelle
Optische Spektroskopie
Verdünnt-stickstoffhaltige III-V Halbleiter
GaNAs
Störstellenniveau
GaNP
Halbleiter
Stickstoff
Mischkristall
Physik
Bandbildung
Band formation
III-V compound semiconductor
Physics
Առցանց հասանելիություն:PDF ամբողջական տեքստ
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!

Նմանատիպ նյութեր