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Elektronische Struktur und Kristallgittereigenschaften von metastabilen III-(N,V)-Halbleitersystemen
In III-V-Halbleitern stellt das Stickstoffatom aufgrund seiner geringen Größe und hohen Elektronegativität eine starke Störung der elektronischen Struktur und der Kristallgittereigenschaften dar. Die vorliegende Arbeit gibt für Ga-V-Halbleiter (V = P, As, Sb) einen Überblick über diese Einflüsse. An...
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Beteiligte: | |
| Format: | Dissertation |
| Sprache: | Deutsch |
| Veröffentlicht: |
Philipps-Universität Marburg
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | PDF-Volltext |
| Tags: |
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Online
PDF-Volltext| Signatur: |
urn:nbn:de:hebis:04-z2008-00765 |
|---|---|
| Publikationsdatum: |
2008-02-20 |
| Datum der Annahme: |
2007-12-18 |
| Downloads: |
64 (2024), 154 (2023), 226 (2022), 163 (2021), 146 (2020), 156 (2019), 136 (2018) |
| Lizenz: |
https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/ |
| Zugangs-URL: |
https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2008/0076 https://doi.org/10.17192/z2008.0076 |