Transiente Ladungsträgerdynamik und optische Verstärkung in III-V-Halbleitern

Transiente Ladungsträgerdynamik und optische Verstärkung in III-V-Halbleitern

Im Rahmen dieser Arbeit wurde die Dynamik der optischen Verstärkung auf Grund intrinsischer Verluste in (GaIn)As und zum ersten Mal auch in dem neuartigen verdünnten Nitrid (GaIn)(NAs) untersucht. Es konnte gezeigt werden, dass die Zeitskalen des Abbaus der Verstärkung durch intrinsische Verluste be...

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מידע ביבליוגרפי
מחבר ראשי: Borck, Sebastian
מחברים אחרים: Rühle, Wolfgang W. (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
פורמט: Dissertation
שפה:German
יצא לאור: Philipps-Universität Marburg 2006
נושאים:
Anrege-Abfrage-Spektroskopie
Transient optical gain
Quantum wells
Drei-Fünf-Halbleiter
III-V semiconductors
Transiente Absorption
Nichtlineare Optik
Halbleiterlaser
Dynamik
Stimulated emission (see also 42.55.-f Lasers)
Optischer Gewinn
Pump-probe spectroscopy
Ultrafast phenomena
Time-resolved optical spectroscopies and other ultrafast optical measurements in condensed matter (see also 42.65.Re-in nonlinear optics; 82.53.-k Femtochemistry in physical chemistry and chemical ... ... Impurity and defect absorption in solids, see 78.30.-j and 78.40.-q
Dilute nitrides
Ladungsträger
Physik
Semiconductor laser
Photolumineszenz
Physics
גישה מקוונת:PDF-Volltext
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