Optical characterization of InGaAsN / GaAs quantum wells: Effects of annealing and determination of the band offsets

In the last decade great attention has been given to the characteristics of dilute nitrides. Both their peculiar physical properties and their wide range of possible applications have attracted the interest of many experimental and theoretical groups. In this thesis work some open questions about th...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: Galluppi, Massimo
Tác giả khác: Stolz, Wolfgang (Dr.) (Cố vấn luận án)
Định dạng: Dissertation
Ngôn ngữ:Tiếng Anh
Được phát hành: Philipps-Universität Marburg 2005
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:Bài toàn văn PDF
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!