Optical characterization of InGaAsN / GaAs quantum wells: Effects of annealing and determination of the band offsets

In the last decade great attention has been given to the characteristics of dilute nitrides. Both their peculiar physical properties and their wide range of possible applications have attracted the interest of many experimental and theoretical groups. In this thesis work some open questions about th...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Автор: Galluppi, Massimo
Інші автори: Stolz, Wolfgang (Dr.) (Керівник дипломної роботи)
Формат: Dissertation
Мова:англійська
Опубліковано: Philipps-Universität Marburg 2005
Предмети:
Онлайн доступ:PDF-повний текст
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!