Optical characterization of InGaAsN / GaAs quantum wells: Effects of annealing and determination of the band offsets

In the last decade great attention has been given to the characteristics of dilute nitrides. Both their peculiar physical properties and their wide range of possible applications have attracted the interest of many experimental and theoretical groups. In this thesis work some open questions about th...

Ամբողջական նկարագրություն

Պահպանված է:
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակ: Galluppi, Massimo
Այլ հեղինակներ: Stolz, Wolfgang (Dr.) (Ատենախոսության խորհրդական)
Ձևաչափ: Dissertation
Լեզու:անգլերեն
Հրապարակվել է: Philipps-Universität Marburg 2005
Խորագրեր:
Առցանց հասանելիություն:PDF ամբողջական տեքստ
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!