Optical characterization of InGaAsN / GaAs quantum wells: Effects of annealing and determination of the band offsets

In the last decade great attention has been given to the characteristics of dilute nitrides. Both their peculiar physical properties and their wide range of possible applications have attracted the interest of many experimental and theoretical groups. In this thesis work some open questions about th...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Galluppi, Massimo
Beteiligte: Stolz, Wolfgang (Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Format: Dissertation
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Philipps-Universität Marburg 2005
Schlagworte:
Online Zugang:PDF-Volltext
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