Galluppi, M. (2005). Optical characterization of InGaAsN / GaAs quantum wells: Effects of annealing and determination of the band offsets. Philipps-Universität Marburg. https://doi.org/10.17192/z2006.0102
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Galluppi, Massimo. Optical Characterization of InGaAsN / GaAs Quantum Wells: Effects of Annealing and Determination of the Band Offsets. Philipps-Universität Marburg, 2005. https://doi.org/10.17192/z2006.0102.
Стиль цитування MLA (9-ме видання)Galluppi, Massimo. Optical Characterization of InGaAsN / GaAs Quantum Wells: Effects of Annealing and Determination of the Band Offsets. Philipps-Universität Marburg, 2005. https://doi.org/10.17192/z2006.0102.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.