Galluppi, M. (2005). Optical characterization of InGaAsN / GaAs quantum wells: Effects of annealing and determination of the band offsets. Philipps-Universität Marburg. https://doi.org/10.17192/z2006.0102
Cytowanie według stylu Chicago (wyd. 17)Galluppi, Massimo. Optical Characterization of InGaAsN / GaAs Quantum Wells: Effects of Annealing and Determination of the Band Offsets. Philipps-Universität Marburg, 2005. https://doi.org/10.17192/z2006.0102.
Cytowanie według stylu MLA (wyd. 9)Galluppi, Massimo. Optical Characterization of InGaAsN / GaAs Quantum Wells: Effects of Annealing and Determination of the Band Offsets. Philipps-Universität Marburg, 2005. https://doi.org/10.17192/z2006.0102.
Uwaga: Te cytaty mogą odróżniać się od wytycznej twojego fakultetu..