Defekte in epitaktisch gewachsenen Silizium-Schichten (Niedertemperaturepitaxie)

Gegenstand der Arbeit ist die Analyse von Defekten in Silizium Schichten, die mit Elektronenzyklotronresonanz unterstützter Gasphasenabscheidung ("electron cyclotron resonance chemical vapour deposition", ECRCVD) bei Substrattemperaturen unterhalb 600°C deponiert wurden. Untersucht wurde e...

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Main Author: Petter, Kai
Contributors: Fuhs, Walther (Prof.) (Thesis advisor)
Format: Dissertation
Language:German
Published: Philipps-Universität Marburg 2006
Physik
Subjects:
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