Defekte in epitaktisch gewachsenen Silizium-Schichten (Niedertemperaturepitaxie)

Defekte in epitaktisch gewachsenen Silizium-Schichten (Niedertemperaturepitaxie)

Gegenstand der Arbeit ist die Analyse von Defekten in Silizium Schichten, die mit Elektronenzyklotronresonanz unterstützter Gasphasenabscheidung ("electron cyclotron resonance chemical vapour deposition", ECRCVD) bei Substrattemperaturen unterhalb 600°C deponiert wurden. Untersucht wurde e...

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Petter, Kai
Beteiligte: Fuhs, Walther (Prof.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Format: Dissertation
Sprache:Deutsch
Veröffentlicht: Philipps-Universität Marburg 2006
Schlagworte:
Physik
Halbleiter / Gitterbaufehler
Defects
Silicon
Epitaxy
Epitaxieschicht
Silicium
Physics
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Signatur: urn:nbn:de:hebis:04-z2006-00957
Publikationsdatum: 2006-04-11
Datum der Annahme: 2006-01-30
Downloads: 22 (2024), 53 (2023), 57 (2022), 17 (2021), 15 (2020), 19 (2019), 10 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Zugangs-URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2006/0095
https://doi.org/10.17192/z2006.0095

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