Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur quantitativen Analyse N-haltiger III/V-Halbleiterheterostrukturen

Torunski, Torsten

Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur quantitativen Analyse N-haltiger III/V-Halbleiterheterostrukturen

Das Verständnis der Struktur und der Morphologie von N-haltigen GaAs-basierenden Materialsystemen baut auf der erfolgreichen Anwendungen verschiedener neuartiger transmissionselektronenmikroskopischer Studien (TEM-Studien) in Kombination mit unterschiedlichen theoretischen Modellierungen auf. Dahe...

Full beskrivning

Sparad:

Bibliografiska uppgifter
Huvudupphovsman:	Torunski, Torsten
Övriga upphovsmän:	Stolz, Wolfgang (Dr. habil.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Materialtyp:	Dissertation
Språk:	tyska
Publicerad:	Philipps-Universität Marburg 2005
Ämnen:	TEM Verfeinerte Strukturfaktorberechnungen Galliumarsenid / Aluminiumarsenid / Mischkristall (GaIn)(NAs) Durchstrahlungselektronenmikroskopie Inhomogene Verspannungsfelder Metastabilität Refined structure factor calculations Inhomogeneous strain fields Drei-Fünf-Halbleiter Physik Physics
Länkar:	PDF-fulltext
Taggar:	Lägg till en tagg Inga taggar, Lägg till första taggen!

Lägg till första kommentaren!

Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur quantitativen Analyse N-haltiger III/V-Halbleiterheterostrukturen

Liknande verk