Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur quantitativen Analyse N-haltiger III/V-Halbleiterheterostrukturen

Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur quantitativen Analyse N-haltiger III/V-Halbleiterheterostrukturen

Das Verständnis der Struktur und der Morphologie von N-haltigen GaAs-basierenden Materialsystemen baut auf der erfolgreichen Anwendungen verschiedener neuartiger transmissionselektronenmikroskopischer Studien (TEM-Studien) in Kombination mit unterschiedlichen theoretischen Modellierungen auf. Dahe...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
מחבר ראשי: Torunski, Torsten
מחברים אחרים: Stolz, Wolfgang (Dr. habil.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
פורמט: Dissertation
שפה:German
יצא לאור: Philipps-Universität Marburg 2005
נושאים:
TEM
Verfeinerte Strukturfaktorberechnungen
Galliumarsenid / Aluminiumarsenid / Mischkristall
(GaIn)(NAs)
Durchstrahlungselektronenmikroskopie
Inhomogene Verspannungsfelder
Metastabilität
Refined structure factor calculations
Inhomogeneous strain fields
Drei-Fünf-Halbleiter
Physik
Physics
גישה מקוונת:PDF-Volltext
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
היה/י הראשונ/ה לכתוב הערה!
צריך להיות מחובר מראש

פריטים דומים