Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur quantitativen Analyse N-haltiger III/V-Halbleiterheterostrukturen

Torunski, Torsten

Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur quantitativen Analyse N-haltiger III/V-Halbleiterheterostrukturen

Das Verständnis der Struktur und der Morphologie von N-haltigen GaAs-basierenden Materialsystemen baut auf der erfolgreichen Anwendungen verschiedener neuartiger transmissionselektronenmikroskopischer Studien (TEM-Studien) in Kombination mit unterschiedlichen theoretischen Modellierungen auf. Dahe...

Descrición completa

Gardado en:

Detalles Bibliográficos
Autor Principal:	Torunski, Torsten
Outros autores:	Stolz, Wolfgang (Dr. habil.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Formato:	Dissertation
Idioma:	German
Publicado:	Philipps-Universität Marburg 2005
Schlagworte:	TEM Verfeinerte Strukturfaktorberechnungen Galliumarsenid / Aluminiumarsenid / Mischkristall (GaIn)(NAs) Durchstrahlungselektronenmikroskopie Inhomogene Verspannungsfelder Metastabilität Refined structure factor calculations Inhomogeneous strain fields Drei-Fünf-Halbleiter Physik Physics
Acceso en liña:	Texto completo PDF
Tags:	Engadir etiqueta Sen Etiquetas, Sexa o primeiro en etiquetar este rexistro!

Sexa o primeiro en deixar un comentario!

Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur quantitativen Analyse N-haltiger III/V-Halbleiterheterostrukturen

Títulos similares