Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur quantitativen Analyse N-haltiger III/V-Halbleiterheterostrukturen

Torunski, Torsten

Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur quantitativen Analyse N-haltiger III/V-Halbleiterheterostrukturen

Das Verständnis der Struktur und der Morphologie von N-haltigen GaAs-basierenden Materialsystemen baut auf der erfolgreichen Anwendungen verschiedener neuartiger transmissionselektronenmikroskopischer Studien (TEM-Studien) in Kombination mit unterschiedlichen theoretischen Modellierungen auf. Dahe...

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Auteur principal:	Torunski, Torsten
Autres auteurs:	Stolz, Wolfgang (Dr. habil.) (Directeur de thèse)
Format:	Dissertation
Langue:	allemand
Publié:	Philipps-Universität Marburg 2005
Sujets:	TEM Verfeinerte Strukturfaktorberechnungen Galliumarsenid / Aluminiumarsenid / Mischkristall (GaIn)(NAs) Durchstrahlungselektronenmikroskopie Inhomogene Verspannungsfelder Metastabilität Refined structure factor calculations Inhomogeneous strain fields Drei-Fünf-Halbleiter Physik Physics
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