Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur quantitativen Analyse N-haltiger III/V-Halbleiterheterostrukturen

Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur quantitativen Analyse N-haltiger III/V-Halbleiterheterostrukturen

Das Verständnis der Struktur und der Morphologie von N-haltigen GaAs-basierenden Materialsystemen baut auf der erfolgreichen Anwendungen verschiedener neuartiger transmissionselektronenmikroskopischer Studien (TEM-Studien) in Kombination mit unterschiedlichen theoretischen Modellierungen auf. Dahe...

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Tallennettuna:
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Päätekijä: Torunski, Torsten
Muut tekijät: Stolz, Wolfgang (Dr. habil.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Aineistotyyppi: Dissertation
Kieli:saksa
Julkaistu: Philipps-Universität Marburg 2005
Aiheet:
TEM
Verfeinerte Strukturfaktorberechnungen
Galliumarsenid / Aluminiumarsenid / Mischkristall
(GaIn)(NAs)
Durchstrahlungselektronenmikroskopie
Inhomogene Verspannungsfelder
Metastabilität
Refined structure factor calculations
Inhomogeneous strain fields
Drei-Fünf-Halbleiter
Physik
Physics
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