Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur quantitativen Analyse N-haltiger III/V-Halbleiterheterostrukturen

Torunski, Torsten

Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur quantitativen Analyse N-haltiger III/V-Halbleiterheterostrukturen

Das Verständnis der Struktur und der Morphologie von N-haltigen GaAs-basierenden Materialsystemen baut auf der erfolgreichen Anwendungen verschiedener neuartiger transmissionselektronenmikroskopischer Studien (TEM-Studien) in Kombination mit unterschiedlichen theoretischen Modellierungen auf. Dahe...

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Detalles Bibliográficos
Autor principal:	Torunski, Torsten
Otros Autores:	Stolz, Wolfgang (Dr. habil.) (Orientador)
Formato:	Dissertation
Lenguaje:	alemán
Publicado:	Philipps-Universität Marburg 2005
Materias:	TEM Verfeinerte Strukturfaktorberechnungen Galliumarsenid / Aluminiumarsenid / Mischkristall (GaIn)(NAs) Durchstrahlungselektronenmikroskopie Inhomogene Verspannungsfelder Metastabilität Refined structure factor calculations Inhomogeneous strain fields Drei-Fünf-Halbleiter Physik Physics
Acceso en línea:	Texto Completo PDF
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