Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur quantitativen Analyse N-haltiger III/V-Halbleiterheterostrukturen

Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur quantitativen Analyse N-haltiger III/V-Halbleiterheterostrukturen

Das Verständnis der Struktur und der Morphologie von N-haltigen GaAs-basierenden Materialsystemen baut auf der erfolgreichen Anwendungen verschiedener neuartiger transmissionselektronenmikroskopischer Studien (TEM-Studien) in Kombination mit unterschiedlichen theoretischen Modellierungen auf. Dahe...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক: Torunski, Torsten
অন্যান্য লেখক: Stolz, Wolfgang (Dr. habil.) (Thesis advisor)
বিন্যাস: Dissertation
ভাষা:German
প্রকাশিত: Philipps-Universität Marburg 2005
বিষয়গুলি:
TEM
Verfeinerte Strukturfaktorberechnungen
Galliumarsenid / Aluminiumarsenid / Mischkristall
(GaIn)(NAs)
Durchstrahlungselektronenmikroskopie
Inhomogene Verspannungsfelder
Metastabilität
Refined structure factor calculations
Inhomogeneous strain fields
Drei-Fünf-Halbleiter
Physik
Physics
অনলাইন ব্যবহার করুন:পিডিএফ এ সম্পূর্ন পাঠ
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
প্রথমজন হিসাবে মন্তব্য করুন!
আপনি আগে লগইন করুন

অনুরূপ উপাদানগুলি