Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur quantitativen Analyse N-haltiger III/V-Halbleiterheterostrukturen

Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur quantitativen Analyse N-haltiger III/V-Halbleiterheterostrukturen

Das Verständnis der Struktur und der Morphologie von N-haltigen GaAs-basierenden Materialsystemen baut auf der erfolgreichen Anwendungen verschiedener neuartiger transmissionselektronenmikroskopischer Studien (TEM-Studien) in Kombination mit unterschiedlichen theoretischen Modellierungen auf. Dahe...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Torunski, Torsten
مؤلفون آخرون: Stolz, Wolfgang (Dr. habil.) (مرشد الأطروحة)
التنسيق: Dissertation
اللغة:German
منشور في: Philipps-Universität Marburg 2005
الموضوعات:
TEM
Verfeinerte Strukturfaktorberechnungen
Galliumarsenid / Aluminiumarsenid / Mischkristall
(GaIn)(NAs)
Durchstrahlungselektronenmikroskopie
Inhomogene Verspannungsfelder
Metastabilität
Refined structure factor calculations
Inhomogeneous strain fields
Drei-Fünf-Halbleiter
Physik
Physics
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