Linear and nonlinear optical excitations in spatially-inhomogeneous semiconductor systems

Gegenstand der vorliegenden Arbeit ist die Licht-Materie-Wechselwirkung in raeumlich inhomogenen Halbleiterstrukturen. In den Kapiteln 2, 3 und 4 werden grundlegende Eigenschaften herausgearbeitet, die dadurch entstehen, dass die untersuchten Systeme von dreidimensionaler raeumlicher Homogenitae...

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Main Author: Reichelt, Matthias
Contributors: Koch, S.W. (Prof. Dr.) (Thesis advisor)
Format: Dissertation
Language:English
Published: Philipps-Universität Marburg 2005
Physik
Subjects:
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Description
Summary:Gegenstand der vorliegenden Arbeit ist die Licht-Materie-Wechselwirkung in raeumlich inhomogenen Halbleiterstrukturen. In den Kapiteln 2, 3 und 4 werden grundlegende Eigenschaften herausgearbeitet, die dadurch entstehen, dass die untersuchten Systeme von dreidimensionaler raeumlicher Homogenitaet abweichen. Darunter ist zu verstehen, dass sowohl das (anregende) Lichtfeld inhomogen verteilt (Kap 2 und 3) als auch die intrinsischen Materialeigenschaften des Halbleiters raeumlich strukturiert sein koennen (Kap. 2 und 4). In Kapitel 2 wird eine Theorie entwickelt, die es ermoeglicht, Halbleiterstrukturen zu beschreiben, die sich in der Naehe eines photonischen Kristalls befinden. Lineare und nichtlineare optische Eigenschaften von verschiedenen Silizium-Halbleiteroberflaechen werden in Kapitel 4 behandelt.
DOI:https://doi.org/10.17192/z2005.0123