Linear and nonlinear optical excitations in spatially-inhomogeneous semiconductor systems

Gegenstand der vorliegenden Arbeit ist die Licht-Materie-Wechselwirkung in raeumlich inhomogenen Halbleiterstrukturen. In den Kapiteln 2, 3 und 4 werden grundlegende Eigenschaften herausgearbeitet, die dadurch entstehen, dass die untersuchten Systeme von dreidimensionaler raeumlicher Homogenitae...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
1. Verfasser: Reichelt, Matthias
Beteiligte: Koch, S.W. (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Format: Dissertation
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Philipps-Universität Marburg 2005
Physik
Schlagworte:
Online Zugang:PDF-Volltext
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Zusammenfassung:Gegenstand der vorliegenden Arbeit ist die Licht-Materie-Wechselwirkung in raeumlich inhomogenen Halbleiterstrukturen. In den Kapiteln 2, 3 und 4 werden grundlegende Eigenschaften herausgearbeitet, die dadurch entstehen, dass die untersuchten Systeme von dreidimensionaler raeumlicher Homogenitaet abweichen. Darunter ist zu verstehen, dass sowohl das (anregende) Lichtfeld inhomogen verteilt (Kap 2 und 3) als auch die intrinsischen Materialeigenschaften des Halbleiters raeumlich strukturiert sein koennen (Kap. 2 und 4). In Kapitel 2 wird eine Theorie entwickelt, die es ermoeglicht, Halbleiterstrukturen zu beschreiben, die sich in der Naehe eines photonischen Kristalls befinden. Lineare und nichtlineare optische Eigenschaften von verschiedenen Silizium-Halbleiteroberflaechen werden in Kapitel 4 behandelt.