Stickstoffinduzierte Bandbildung in den metastabilen Halbleitersystemen Ga(N,As) und (Ga,In)(N,As)

Stickstoffinduzierte Bandbildung in den metastabilen Halbleitersystemen Ga(N,As) und (Ga,In)(N,As)

In der vorliegenden Arbeit wurden grundlegende physikalische Eigenschaften der metastabilen Halbleitersysteme Ga(N,As) und (Ga,In)(N,As) vorgestellt. Es werden die großen Veränderungen der optischen Eigenschaften durch den Einbau von Stickstoff beschrieben. Durch den großen Unterschied in Elektroneg...

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מחבר ראשי: Grüning, Heiko
מחברים אחרים: Heimbrodt, Wolfram (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
פורמט: Dissertation
שפה:German
יצא לאור: Philipps-Universität Marburg 2004
נושאים:
Quantum wells
GaNAs
Bandformation
Physik
Optische Spektroskopie
III-V semiconductors
Störstelle
Galliumarsenid-Bauelement
Semiconductors
GaInNAs
Halbleiterphysik
Bandbildung
Stickstoff
Physics
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פרטי מלאי ספרים מ
סימן המיקום: urn:nbn:de:hebis:04-z2004-06373
Publikationsdatum: 2004-12-14
Datum der Annahme: 2004-10-13
Downloads: 51 (2024), 137 (2023), 152 (2022), 141 (2021), 85 (2020), 83 (2019), 32 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Zugangs-URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2004/0637
https://doi.org/10.17192/z2004.0637

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