On the mechanisms of hydrogen implantation induced silicon surface layer cleavage

On the mechanisms of hydrogen implantation induced silicon surface layer cleavage

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Автор: Höchbauer, Tobias
Формат: Dissertation
Мова:англійська
Опубліковано: Philipps-Universität Marburg 2001
Предмети:
Chemie
Silicon surface layer cleavage
Chemistry & allied sciences
Онлайн доступ:PDF-повний текст
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!

Інтернет

PDF-повний текст

Детальна інфо про примірники із
Шифр: urn:nbn:de:hebis:04-z2002-04033
Дата публікації: 2003-08-06
Datum der Annahme: 2001-12-18
Downloads: 54 (2024), 99 (2023), 117 (2022), 159 (2021), 148 (2020), 370 (2019), 113 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Доступ через URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2002/0403
https://doi.org/10.17192/z2002.0403

Схожі ресурси