On the mechanisms of hydrogen implantation induced silicon surface layer cleavage

On the mechanisms of hydrogen implantation induced silicon surface layer cleavage

Kaydedildi:
Detaylı Bibliyografya
Yazar: Höchbauer, Tobias
Materyal Türü: Dissertation
Dil:İngilizce
Baskı/Yayın Bilgisi: Philipps-Universität Marburg 2001
Konular:
Chemie
Silicon surface layer cleavage
Chemistry & allied sciences
Online Erişim:PDF Tam Metin
Etiketler: Etiketle
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!

Internet

PDF Tam Metin

Detaylı Erişim Bilgileri
Yer Numarası: urn:nbn:de:hebis:04-z2002-04033
Yayın Tarihi: 2003-08-06
Datum der Annahme: 2001-12-18
Downloads: 55 (2024), 99 (2023), 117 (2022), 159 (2021), 148 (2020), 370 (2019), 113 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Erişim Adresi URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2002/0403
https://doi.org/10.17192/z2002.0403

Benzer Materyaller