On the mechanisms of hydrogen implantation induced silicon surface layer cleavage

On the mechanisms of hydrogen implantation induced silicon surface layer cleavage

Sparad:
Bibliografiska uppgifter
Huvudupphovsman: Höchbauer, Tobias
Materialtyp: Dissertation
Språk:engelska
Publicerad: Philipps-Universität Marburg 2001
Ämnen:
Chemie
Silicon surface layer cleavage
Chemistry & allied sciences
Länkar:PDF-fulltext
Taggar: Lägg till en tagg
Inga taggar, Lägg till första taggen!

Internet

PDF-fulltext

Beståndsuppgifter i
Signum: urn:nbn:de:hebis:04-z2002-04033
Utgivningstid: 2003-08-06
Datum der Annahme: 2001-12-18
Downloads: 55 (2024), 99 (2023), 117 (2022), 159 (2021), 148 (2020), 370 (2019), 113 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Länk till materialet: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2002/0403
https://doi.org/10.17192/z2002.0403

Liknande verk