On the mechanisms of hydrogen implantation induced silicon surface layer cleavage

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главный автор: Höchbauer, Tobias
Формат: Dissertation
Язык:английский
Опубликовано: Philipps-Universität Marburg 2001
Предметы:
Online-ссылка:PDF-полный текст
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!

Internet

PDF-полный текст

Подробно о фондах из
Шифр: urn:nbn:de:hebis:04-z2002-04033
Дата публикации: 2003-08-06
Datum der Annahme: 2001-12-18
Downloads: 55 (2024), 99 (2023), 117 (2022), 159 (2021), 148 (2020), 370 (2019), 113 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Доступ через URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2002/0403
https://doi.org/10.17192/z2002.0403