On the mechanisms of hydrogen implantation induced silicon surface layer cleavage

On the mechanisms of hydrogen implantation induced silicon surface layer cleavage

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
מחבר ראשי: Höchbauer, Tobias
פורמט: Dissertation
שפה:אנגלית
יצא לאור: Philipps-Universität Marburg 2001
נושאים:
Chemie
Silicon surface layer cleavage
Chemistry & allied sciences
גישה מקוונת:PDF-Volltext
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

אינטרנט

PDF-Volltext

פרטי מלאי ספרים מ
סימן המיקום: urn:nbn:de:hebis:04-z2002-04033
Publikationsdatum: 2003-08-06
Datum der Annahme: 2001-12-18
Downloads: 54 (2024), 99 (2023), 117 (2022), 159 (2021), 148 (2020), 370 (2019), 113 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Zugangs-URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2002/0403
https://doi.org/10.17192/z2002.0403

פריטים דומים