On the mechanisms of hydrogen implantation induced silicon surface layer cleavage

On the mechanisms of hydrogen implantation induced silicon surface layer cleavage

Gorde:
Xehetasun bibliografikoak
Egile nagusia: Höchbauer, Tobias
Formatua: Dissertation
Hizkuntza:ingelesa
Argitaratua: Philipps-Universität Marburg 2001
Gaiak:
Chemie
Silicon surface layer cleavage
Chemistry & allied sciences
Sarrera elektronikoa:PDF testu osoa
Etiketak: Etiketa erantsi
Etiketarik gabe, Izan zaitez lehena erregistro honi etiketa jartzen!

Internet

PDF testu osoa

Aleari buruzko argibideak
Sailkapena: urn:nbn:de:hebis:04-z2002-04033
Argitaratze data: 2003-08-06
Datum der Annahme: 2001-12-18
Downloads: 55 (2024), 99 (2023), 117 (2022), 159 (2021), 148 (2020), 370 (2019), 113 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
URL sarbidea: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2002/0403
https://doi.org/10.17192/z2002.0403

Antzeko izenburuak