On the mechanisms of hydrogen implantation induced silicon surface layer cleavage

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Detalles Bibliográficos
Autor principal: Höchbauer, Tobias
Formato: Dissertation
Lenguaje:inglés
Publicado: Philipps-Universität Marburg 2001
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Número de Clasificación: urn:nbn:de:hebis:04-z2002-04033
Fecha de Publicación: 2003-08-06
Datum der Annahme: 2001-12-18
Downloads: 54 (2024), 99 (2023), 117 (2022), 159 (2021), 148 (2020), 370 (2019), 113 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
URL de Acceso: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2002/0403
https://doi.org/10.17192/z2002.0403