On the mechanisms of hydrogen implantation induced silicon surface layer cleavage

Αποθηκεύτηκε σε:
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριος συγγραφέας: Höchbauer, Tobias
Μορφή: Dissertation
Γλώσσα:Αγγλικά
Έκδοση: Philipps-Universität Marburg 2001
Θέματα:
Διαθέσιμο Online:Πλήρες κείμενο PDF
Ετικέτες: Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!

Διαδίκτυο

Πλήρες κείμενο PDF

Λεπτομέρειες τεκμηρίων από
Ταξινομικός Αριθμός: urn:nbn:de:hebis:04-z2002-04033
Ημερομηνία έκδοσης: 2003-08-06
Datum der Annahme: 2001-12-18
Downloads: 54 (2024), 99 (2023), 117 (2022), 159 (2021), 148 (2020), 370 (2019), 113 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Σύνδεσμος πρόσβασης: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2002/0403
https://doi.org/10.17192/z2002.0403