On the mechanisms of hydrogen implantation induced silicon surface layer cleavage

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Höchbauer, Tobias
Format: Dissertation
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Philipps-Universität Marburg 2001
Schlagworte:
Online Zugang:PDF-Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Online

PDF-Volltext

Bestandesangaben von
Signatur: urn:nbn:de:hebis:04-z2002-04033
Publikationsdatum: 2003-08-06
Datum der Annahme: 2001-12-18
Downloads: 37 (2024), 99 (2023), 117 (2022), 159 (2021), 148 (2020), 370 (2019), 113 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Zugangs-URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2002/0403
https://doi.org/10.17192/z2002.0403