On the mechanisms of hydrogen implantation induced silicon surface layer cleavage

On the mechanisms of hydrogen implantation induced silicon surface layer cleavage

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Höchbauer, Tobias
Format: Dissertation
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Philipps-Universität Marburg 2001
Schlagworte:
Chemie
Silicon surface layer cleavage
Chemistry & allied sciences
Online Zugang:PDF-Volltext
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