Interface engineering of charge-transfer excitons in 2D lateral heterostructures

Interface engineering of charge-transfer excitons in 2D lateral heterostructures

The existence of bound charge transfer (CT) excitons at the interface of monolayer lateral heterojunctions has been debated in literature, but contrary to the case of interlayer excitons in vertical heterostructure their observation still has to be confirmed. Here, we present a microscopic study inv...

Ամբողջական նկարագրություն

Պահպանված է:
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ: Rosati, Roberto, Paradisanos, Ioannis, Huang, Libai, Gan, Ziyang, George, Antony, Watanabe, Kenji, Taniguchi, Takashi, Lombez, Laurent, Renucci, Pierre, Turchanin, Andrey, Urbaszek, Bernhard, Malic, Ermin
Ձևաչափ: Հոդված
Լեզու:անգլերեն
Հրապարակվել է: Philipps-Universität Marburg 2023
Խորագրեր:
Physik
Physics
Առցանց հասանելիություն:PDF ամբողջական տեքստ
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!

Համացանց

PDF ամբողջական տեքստ

Պահումների մանրամասները
Դասիչ: urn:nbn:de:hebis:04-es2024-07908
Հրապարակման ամսաթիվ: 2024-01-23
Աղբյուր: Erstveröffentlichung: Rosati, R., Paradisanos, I., Huang, L. et al. Interface engineering of charge-transfer excitons in 2D lateral heterostructures. Nat Commun 14, 2438 (2023). https://doi.org/10.1038/s41467-023-37889-9
Downloads: 59 (2024)
Lizenz: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0
Հասանելի URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/es/2024/0790
https://doi.org/10.1038/s41467-023-37889-9

Նմանատիպ նյութեր