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Titel:Spektroskopie an Ge-basierten Halbleiterstrukturen auf Silizium
Autor:Kolata, Kolja
Veröffentlicht:2010
URI:https://archiv.ub.uni-marburg.de/ed/2011/0001
URN: urn:nbn:de:hebis:04-ed2011-00012
DOI: https://doi.org/10.17192/ed.2011.0001
DDC: Physik
Publikationsdatum:2010-12-02
Lizenz:https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/

Dokument

Schlagwörter:
Hole-Relaxation, Siliconphotonics, Siliziumphotonik, Nichtlineare Spektroskopie, Infrarotspektroskopie, Germanium, Spektroskopie, AC Stark Effect, Optische Spektroskopie, Anrege-Abfrage-Spektroskopie, Optical Gain, Optischer Gewin, Mehrphotonen-Spektroskopie, Germanium

Zusammenfassung:
Anrege-Abfrage-Spektroskopie an Germanium Halbleiternanostrukturen auf Silizium. Es konnte ein gigantischer AC Stark Effekt in Germanium beobachtet werden, der nach 150fs abgeklungen ist. Außerdem wurde die Abkühlung des Lochsystems auf Gittertemperatur analysiert. Die Abkühlung erfolgt im Vergleich zu direkten Halbleitern um eine Größenordnung langsamer. Abschließend konnte optische Verstärkung in dotiertem Germanium nachgewiesen werden.


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