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Titel:Spektroskopie an Ge-basierten Halbleiterstrukturen auf Silizium
Autor:Kolata, Kolja
Erscheinungsjahr:2010
URI:http://archiv.ub.uni-marburg.de/ed/2011/0001
URN: urn:nbn:de:hebis:04-ed2011-00012
DOI: https://doi.org/10.17192/ed.2011.0001
DDC: Physik

Dokument

Schlagwörter:
Siliconphotonics, Nichtlineare Spektroskopie, Infrarotspektroskopie, Germanium, Germanium, Hole-Relaxation, Anrege-Abfrage-Spektroskopie, Spektroskopie, Optische Spektroskopie, Optischer Gewin, Optical Gain, Siliziumphotonik, Mehrphotonen-Spektroskopie, AC Stark Effect

Zusammenfassung:
Anrege-Abfrage-Spektroskopie an Germanium Halbleiternanostrukturen auf Silizium. Es konnte ein gigantischer AC Stark Effekt in Germanium beobachtet werden, der nach 150fs abgeklungen ist. Außerdem wurde die Abkühlung des Lochsystems auf Gittertemperatur analysiert. Die Abkühlung erfolgt im Vergleich zu direkten Halbleitern um eine Größenordnung langsamer. Abschließend konnte optische Verstärkung in dotiertem Germanium nachgewiesen werden.


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