Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen

Zielsetzung der vorliegenden Arbeit war die Optimierung Ga(NAsP)-basierter Laserstrukturen auf Si-Substrat und der dafür erforderlichen Materialien. Die maximale Betriebstemperatur solcher Strukturen lag bisher bei 160 K, jedoch wird durch Steigerung der Effizienz ein Betrieb bei Raumtemperatur ange...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
1. Verfasser: Zimprich, Martin
Beteiligte: Stolz, W. (Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Format: Dissertation
Sprache:Deutsch
Veröffentlicht: Philipps-Universität Marburg 2013
Physik
Ausgabe:http://dx.doi.org/10.17192/z2013.0726
Schlagworte:
Online Zugang:PDF-Volltext
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6. Ladungsträgerdichte aus Hall-Messungen an (BGa)(AsP):Te/GaP as grown (a) und nach Annealing (b) mit variierendem Bor-Gehalt (Daten aus [62]). Fehlerbalken beziehen sich allein auf den Fehler der elektrischen Messung durch Rauschen.


7. Elektrische und optische Kennlinie einer Laserstruktur auf Si mit unterschiedlichen Annealing-Prozeduren nach dem Wachstum. Barrenlänge jeweils ca. 1000 µm. Datenpunkte links der gestrichelten Linie wurden nicht für den Fit herangezogen. 152


8. Differentieller Widerstand von Breitstreifenlasern mit unterschiedlicher Kontaktlänge L und -breite (schwarz) sowie Produkt von differentiellem Widerstand und gepumpter Fläche unter dem p-Kontakt an den gleichen Strukturen (rot).


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11. Einhüllende der QWs laut XRD und Photolumineszenz-Peak von MQW-Strukturen bei unterschiedlichen Wachstumstemperaturen für das aktive Material.


12. Einhüllende nach XRD-Simulation für unterschiedliche 3-fach MQW-Strukturen auf Silizium (a). Wachstumsrate aus XRD-Simulation derselben Strukturen mit jeweils angenommenem Fehler von 15% (b).


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21. Trusheim, D. F., Photolumineszenzuntersuchungen an verdünnt N-haltigen Ga(NAsP)/GaP-Heterostrukturen, Diplomarbeit, Philipps-Universität Marburg (2007).


22. Schematische Darstellung einer TLM-Struktur mit Deckschicht, fertig prozessiert.. 58


23. Schematische Darstellung von Einfang-und Rekombinationsprozessen an lokalisierten Zuständen im Rahmen des Hopping Modells für Exzitonen nach [40]. 26


24. Berechnung der Bandlücke von Ga(NAsP)/Si (Bulk) in Abhängigkeit der Materialkomposition (a) und Berechnung der zu erwartenden PL-Emission eines 5


25. Simulation der Hetero-Offsets in einer Laserstruktur mit (AlGa)P-Lochbarriere und GaP-Elektronenbarriere. Zwischenschichten mit Dicke <5 nm sind nicht dargestellt.


26. Strahlengang (vereinfachte Darstellung) im TEM (links) und STEM (rechts).


27. Németh, I., Transmission electron microscopic investigations of heteroepitaxial III/V semicondictor thin layer and quantum well structure, Dissertation, Philipps-Universität Marburg (2008).


28. Verhalten der temperaturabhängigen Photolumineszenz laut dem Hopping-Modell aus [41]: S-Shape (links) des PL-Peaks und Verhalten der Halbwertsbreite (rechts). 27


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