Defekte in epitaktisch gewachsenen Silizium-Schichten (Niedertemperaturepitaxie)

Gegenstand der Arbeit ist die Analyse von Defekten in Silizium Schichten, die mit Elektronenzyklotronresonanz unterstützter Gasphasenabscheidung ("electron cyclotron resonance chemical vapour deposition", ECRCVD) bei Substrattemperaturen unterhalb 600°C deponiert wurden. Untersucht wurde e...

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Petter, Kai
Beteiligte: Fuhs, Walther (Prof.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Format: Dissertation
Sprache:Deutsch
Veröffentlicht: Philipps-Universität Marburg 2006
Physik
Schlagworte:
Online Zugang:PDF-Volltext
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